传三星正将平泽128层NAND闪存产线转为236层？
电子芯片网消息，据韩媒《Etnews》引述业内人士29日透露，三星电子正在将平泽第一工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺。这是三星电子减少库存较多的128层NAND闪存的产量，
2023-08-31
三星 闪存芯片 NANDFlash
行业库存情况如何？国内一存储厂商回应
电子芯片网消息，近日，存储器芯片供应商普冉股份披露投资者关系活动记录表。关于NOR Flash行业库存情况，普冉股份表示，NOR Flash终端客户的原厂库存以及渠道库存已经几近健康，设
2023-09-06
闪存芯片 NORFlash 普冉股份
外媒：三星预计Q4起存储芯片供需关系或将发生变化
电子芯片网消息，据《韩国经济日报》援引未具名行业消息来源报道称，三星电子面向主要智能手机制造商的DRAM和NAND闪存芯片价格上调了10-20％。主要智能手机制造商包括小米、OPPO和谷
2023-09-15
三星 闪存芯片 存储芯片 芯片
湖北：加快突破超高层三维闪存工艺、Chiplet等关键技术
电子芯片网消息，中国光谷公众号消息，近日湖北省政府发布关于印发加快世界光谷建设行动计划的通知（以下简称通知）。 通知提出要紧跟全球光电子产业发展趋势，充分发挥东湖高
2023-09-25
闪存芯片 存储技术
Dialog宣布其FusionHD? NOR闪存兼容并已在SmartBond?低功耗蓝牙无线MCU平台上认证
Dialog半导体公司（德国证券交易所交易代码：DLG）今天宣布，其收购Adesto Technologies后新增的产品Fusion。
2020-08-13
IC设计 闪存芯片
长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片正式亮相
长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片在第八届中国电子信息博览会上正式亮相展出。
2020-08-17
存储器 闪存芯片
SK海力士将展示两款新SSD 采用128层堆叠4D TLC NAND闪存
SK海力士在官网宣布，将于CES 2020上展示两款新SSD，型号分别为Gold P31及Platinum P31。
2020-01-02
存储器 闪存芯片
闪存工艺之争再升级 128层3D NAND明年渐成主流
第三季度全球NAND闪存市场明显复苏，三星、铠侠（原东芝存储）、美光等主要存储厂商的出货量均有较大幅度增长。
2019-12-04
存储器 闪存芯片
佰维FMS 2019全球顶级闪存峰会首秀圆满结束
北京时间2020年8月9日晨6时许，全球顶级闪存峰会2019 Flash Memory Summit（简称 FMS ）圆满落幕，三星、东芝、海力士等存储巨头悉数登场nd
2019-08-12
存储器 闪存芯片
美光新加坡Fab 10A闪存工厂完成扩建
存储器大厂美光科技（Micron）14日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建！美光执行长Sanjay Mehrotra表示，新厂区将视市场需求调整资本支出及产量规划，并应用先进3D NAND制程技术，进一步推
2019-08-15
存储器 闪存芯片
