三星电子宣布开发出12nm级32GbDRAM
电子芯片网消息，2023年9月1日，三星电子宣布该公司已采用12纳米（nm）级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，并计划于今年年底
2023-09-01
三星 DRAM芯片 DDR5
传三星计划2024年将量产第九代V-NAND闪存
电子芯片网消息，近日，据媒体报道，三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时
2023-10-18
三星 DRAM芯片 NANDFlash
