三星宣布推出HBM Flashbolt DRAM 2020年中投产
韩国存储器大厂三星宣布，4日正式推出Flashbolt的HBM（高宽带）DRAM。
2020-02-05
存储器 DRAM
打造国内最大高端DRAM测试装备研发中心 深圳再添芯动力
深圳航天科创公司与DRAM测试服务企业深圳皇虎、智能制造高新技术企业光彩凯宜在深圳航天大厦举行了共建航天DRAM测试装备研发中心及测试服务中心项目签约仪式。
2020-01-19
存储器 DRAM
南亚科李培瑛：已成功自主研发10纳米级DRAM新型存储器技术
针对南亚科自行新研发出10纳米级制程的未来发展方向，李培瑛则是表示，南亚科成功开发出10纳米级DRAM新型存储器生产技术，DRAM产品可持续微缩至少3个世代，未来进入10纳米制程技术
2020-01-13
存储器 DRAM
华为再投资芯片企业；DRAM合约价提前止跌；格兰仕造芯项目落地顺德
华为再投资芯片企业；DRAM合约价提前止跌；格兰仕造芯项目落地顺德
2019-12-21
专题报导 DRAM
业界共识 DRAM市况提前翻红
因为CMOS影像感测器（CIS）市场需求强劲且供不应求，韩系存储器厂持续将旧有DRAM产量移转生产CIS元件，2020年DRAM位元供给年增率恐创下近10年来新低。
2019-12-25
存储器 DRAM
兆易创新：首款DRAM芯片最晚2025年量产
此前，兆易创新发布非公开发行A股股票预案，公司拟向不超过10名特定投资者非公开发行股票不超过64,224,315股（含本数），募集资金总额（含发行费用）不超过人民币432,402.36万元，用于
2019-12-30
存储器 DRAM
DRAM产业景气 拨云见日
美中将签署第一阶段贸易协议，贸易摩擦不确定因素可望淡化，加上三星华城厂跳电，各方指标都有利DRAM景气向上，业者预期，DRAM报价也可望于本季提前上涨。
2020-01-02
存储器 DRAM
三星华城厂区跳电 影响DRAM、NAND Flash及LSI部分业务
根据外电的报导，韩国半导体厂商三星电子旗下位于华城的工厂发生了跳电事故，影响了DRAM、NAND Flash，以及采用EUV技术的系统半导体生产部分。
2020-01-02
存储器 DRAM
兆易创新公布DRAM量产进程；三星华城厂突发跳电有何影响？
针对2019年12月31日韩国三星电子于华城厂区所发生的跳电事件，整体影响到DRAM、NAND Flash及LSI方面采用EUV技术来生产系统半导体的部分。
2020-01-04
专题报导 DRAM
DRAMeXchange刘家豪：IT基础架构转型现商机 服务器内存市场崛起？
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2019-12-03
存储器 DRAM
